У флешек появился шанс на долголетие — благодаря необычному алгоритму

Современные носители данных стремительно развиваются, но даже у самых перспективных технологий есть слабые места. Например, ферроэлектрическая память — один из кандидатов на замену традиционной флеш-памяти — страдает от быстрого износа и потери данных со временем. Однако российские учёные нашли способ бороться с этой проблемой.
Что не так с ферроэлектрической памятью
Ферроэлектрики, также известные как сегнетоэлектрики, — это материалы, в которых можно управлять положением электронов при помощи электрического поля. Они позволяют создавать энергонезависимую память, сочетающую скорость оперативной и надёжность флеш-памяти. Но у этой технологии есть один существенный недостаток: данные со временем могут исчезать.
Причина — капризные напряжения
Главный враг таких носителей — так называемые коэрцитивные напряжения. Именно они отвечают за стирание и перезапись данных. Со временем эти напряжения могут настолько измениться, что превысят рабочие параметры чипа. Итог — сбой при чтении и утрата информации.